16,38€ 23,00€

Anker 511 Nano 3 (30W) USB-C Ladegerät für 16,38€

Bei Amazon erhaltet ihr für unbestimmte Zeit das Anker 511 Nano 3 (30W) USB-C Ladegerät für 16,38€ (Vergleichspreis: ~23€) Ersparnis ~7€

Details

  • KLEIN ABER KRÄFTIG: Durch den Austausch von Silizium gegen Galliumnitrid (GaN) konnten wir 30W Leistung in ein winziges Ladegerät einbauen, das 2,8cm schlank und 70% kleiner als ein ursprüngliches 30W-Ladegerät ist.
  • NEED FOR NANO: Aufgerüstet mit einer Ausgangsleistung von 30W, sodass du deine Ohrhörer, Smartphones, Tablets und sogar dein MacBook Air mit einem federleichten Ladegerät aufladen kannst.
  • HIGH-SPEED LADELEISTUNG: Lade dein iPhone 13 Pro und Pro Max mit 30W in Höchstgeschwindigkeit auf oder lade dein iPad Air (5. Generation) in nur 45 Minuten auf 50% Akku auf. Unterstützt außerdem Samsung Super Fast Charging (25W).
  • LADESCHUTZ MIT ACTIVESHIELD 2.0: Die hauseigene Ladetechnologie von Anker schützt deine Geräte, indem sie die Ladetemperatur über 3 Millionen Mal pro Tag intelligent überwacht – das ist doppelt so oft im Vergleich zu ActiveShield 1.0.

Was ist GaN?

GaN steht für Galliumnitrid, ein Halbleitermaterial, das in der Elektronikindustrie und in der Hochfrequenztechnologie weit verbreitet ist. Galliumnitrid hat aufgrund seiner einzigartigen Eigenschaften in den letzten Jahren immer mehr an Bedeutung gewonnen.

Einige der wichtigsten Merkmale von Galliumnitrid sind:

  1. Hohe Leistungsfähigkeit: GaN-Halbleiter sind in der Lage, elektrische Signale mit höherer Leistung und Effizienz zu verarbeiten als herkömmliche Halbleitermaterialien wie Silizium. Dies macht sie ideal für Anwendungen, bei denen hohe Leistung und Energieeffizienz erforderlich sind, wie in Hochfrequenzverstärkern und Schaltnetzteilen.
  2. Höhere Arbeitsfrequenzen: GaN-Halbleiter sind in der Lage, bei viel höheren Frequenzen zu arbeiten als Silizium, was sie für Anwendungen in der Hochfrequenzkommunikation und drahtlosen Technologie äußerst nützlich macht.
  3. Hohe Temperaturbeständigkeit: GaN-Halbleiter sind sehr temperaturbeständig und können bei hohen Temperaturen betrieben werden, ohne an Leistung zu verlieren. Dies macht sie ideal für den Einsatz in rauen Umgebungen, wie in der Luft- und Raumfahrt.
  4. Kleinere Baugröße: GaN-Halbleiter sind kleiner und leichter als Silizium-Halbleiter, was die Herstellung von kompakteren und leichteren elektronischen Geräten ermöglicht.
  5. Längere Lebensdauer: GaN-Halbleiter haben eine längere Lebensdauer und eine höhere Zuverlässigkeit als einige andere Halbleitermaterialien.

Aufgrund dieser Eigenschaften wird GaN in einer Vielzahl von Anwendungen eingesetzt, einschließlich Leistungselektronik, drahtlose Kommunikation, LED-Beleuchtung, Satellitentechnik und mehr. Es hat das Potenzial, die Leistung und Effizienz von Elektronikgeräten und -systemen erheblich zu verbessern und wird daher in der Elektronikindustrie intensiv erforscht und entwickelt.

Amazon Versandinformationen

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